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従来の手法と今回開発した手法の比較 |
最近ではさまざまな MEMS デバイスが製品化されているが、同デバイスには微小な機械可動部などの保護や IC の集積化が必要であり、金属部品同士を接合するパッケージングコストが高かった。さらに、部品同士の接合では300 ℃以上の高温でプレスして金属を変形させるので、加熱加圧による MEMS デバイスへのダメージが懸念され、低加圧/低温でのパッケージングが求められていた。
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新開発の手法では常温での接合強度が高い |
そこで今回開発された技術は、犠牲層薄膜除去プロセスにより、原子レベルで平滑な表面の形状を金属メッキ表面に転写することで、超平滑メッキ表面を実現した。この超平滑メッキ表面を活性化処理することにより、常温の大気中で強固な接合を形成する技術を開発した。従来の接合プロセスでは、真空環境や加熱機構を備えた大規模な接合装置が必要だったが、この接合技術は常温の大気中で接合できるため、装置の大幅な簡略化と製造効率の向上が期待できるという。