東芝は、フラッシュメモリと CMOS トランジスタを同一チップ内に近接して混載する技術を開発した。この技術を FPGA( Field-Programmable Gate Array)に応用することで、低消費電力かつ高性能な不揮発 FPGA を実現できる。

同社は、通常用いられているフラッシュメモリと異なる構造を持つ MONOS 型フラッシュメモリを適用し、書き込み手法と回路構造を工夫することで、同技術を開発した。

SRAM を MONOS 型フラッシュメモリに置き換えたことで、電源の供給を止めてもデータを失わないため、FPGA 動作中にチップ内で使用していない領域の電源を部分的に遮断し、無駄な電力消費を削減している。同社テスト回路での試算では、ロジック使用率が80%の場合で、SRAM 型 FPGAに比べて約40%の電力削減が見込まれた。