半導体大手のルネサス エレクトロニクスは、回路線幅に 28nm(ナノメートル)プロセスを採用したマイコン内蔵用フラッシュメモリ IP(Intellectual Property)を、世界で初めて開発したそうだ。

内蔵用フラッシュメモリは、今後、マイコンによる制御が高度化することにより、同社の 40nm プロセス技術で実現できる最大容量 8MB を超える 10MB クラスが必要になることが予想される。

そこで、ルネサスは、従来の 40nm プロセスからさらに微細化された 28nm プロセスでの試作を進めてきたが、今回、試作チップにより、160MHz の高速読み出しと20年のデータ保持時間、25万回の書き換え回数(データ保存用の場合)を確認した。

ルネサスは今後、高速読み出し・高信頼性と大容量(最大容量 16MB 以上)に対応した 28nm 車載用フラッシュメモリ内蔵マイコン(フラッシュマイコン)の製品化に向け、開発を進める意向。