NTT は、ドイツのポール ドルーデ研究所および米国のネイバル リサーチ研究所との連携により、原子1個の誤差もない高精度で位置と構造が制御された量子ドットと、それを組み合わせた人工分子を作製することに成功した。

分子線エピタキシャル成長(MBE)法 によって作製した半導体の清浄表面の上に、低温走査トンネル顕微鏡(STM)を用いた原子操作によって、原子をブロックのように積み上げることで実現した。

この技術を使えば、原子のように特性が完全にそろった量子ドットを半導体基板上に自由に配列できるため、完全に波長の揃った単一光子源や、同一の特性を持つ量子ビット列など、これまで構造の誤差によって実現困難だった、原子レベルの再現性をもつ究極の量子デバイスが作製できる。

さらにこのようなナノ構造を多数集積化し、制御できれば、量子コンピュータや、従来のシリコン技術の限界を超えた“Beyond CMOS”と呼ばれる次世代技術に応用できる可能性がある。